疑難解答

•是否還需要往H1細胞專用培養(yǎng)基中補充或添加成分？

不需要。H1細胞培養(yǎng)基中各個成分的質(zhì)量和濃度都經(jīng)過了優(yōu)化實驗，支持人ESC/iPSC的長期培養(yǎng)，無需再自行添加。

•培養(yǎng)基中有沉淀狀物質(zhì)是否是質(zhì)量問題？

添加劑在解凍過程中，若有少量沉淀析出，屬于正常現(xiàn)象，不影響使用，請充分混勻后與基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合。但添加劑不能在37℃解凍，否則會析出大量沉淀，影響培養(yǎng)基的效價。如果培養(yǎng)基中出現(xiàn)大量沉淀，請不要使用。

•是否能在37 ℃反復(fù)水浴H1細胞專用培養(yǎng)基？

不能。頻繁地在4℃和37℃之間轉(zhuǎn)換會導(dǎo)致H1細胞專用培養(yǎng)基中含有的因子失活，H1細胞專用培養(yǎng)基在使用前平衡至室溫即可。

• H1細胞在傳代后不貼壁怎么解決？

造成H1傳代后不貼壁的最可能的原因：

① 細胞消化時間不合適；②消化后吹打次數(shù)不合適，使得完成傳代后細胞集落過大或過小。

• H1分化怎么處理？

① 細胞在剛復(fù)蘇或傳代時，小的細胞團不呈現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的克隆形態(tài)，培養(yǎng)幾天或傳代后可恢復(fù)。②如果H1分化的表現(xiàn)為干細胞克隆形態(tài)良好，克隆周邊出現(xiàn)散在的分化細胞，可通過高比例傳代（≥1:10），使得分化細胞的密度減少，低密度的分化細胞可被H1培養(yǎng)體系篩選去除，如未全去除，可用細胞刮或巴斯德管刮除。

② 如果H1分化的表現(xiàn)為克隆內(nèi)部松散，邊緣不平滑，在分化比例小或分化不嚴重的情況下，可通過連續(xù)傳代2 ~ 3次恢復(fù)，如果分化嚴重，建議棄除。

• 細胞復(fù)蘇率低是什么原因？

細胞復(fù)蘇需使用H1細胞復(fù)蘇培養(yǎng)基，可大大提高細胞的復(fù)蘇效率。復(fù)蘇過程中，轉(zhuǎn)移細胞、吹打混勻和重懸細胞時，吹打力度要輕柔，并盡量減少吹打次數(shù)，細胞接種后，即刻在顯微鏡下觀察細胞團塊的大小，4 ~ 10個細胞的團塊為最佳。如果吹打力度過大或次數(shù)過多，導(dǎo)致細胞分散成單細胞，細胞復(fù)蘇率將偏低。

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